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全新光电科技股份有限公司

发布时间：2008-10-06 来源：不详阅读次数：2764 分享到：

新光電科技股份有限公司 ( VPEC )1996年11月成立於桃園，主要以有機金屬氣相磊晶成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)為核心技術，主要提供各種光電子/微電子元件的磊晶片代工, 並提供超高亮度LED晶粒。

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備高工作頻率、低雜訊、抗輻射、能源效率佳、材料選擇性廣，電子移動速度快、高發光效率，並涵蓋不同顏色之發光波段等優點，而發展為近年無線通訊、光纖通訊、光資訊儲存、光顯示及照明之關鍵組件。

全新光電致力於化合物半導體磊晶技術及ＬＥＤ晶粒之研發、製造與銷售業務，秉持「創新、卓越、分享、團隊、誠信」之經營理念，以優異的技術優勢及專業製造能力，建立了全球的行銷網路，在業界更以穩健、踏實的精神，建立了良好的企業信譽及形象，已成為世界級Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的領導公司，並於2002年1月於台灣證券市場上市（股票代號：２４５５）。

产品系列

	客製化結構磊晶代工
	砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（GaAs HBT Epi Wafer）
	低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epi Wafer)
	超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片 (High Voltage GaAs HBT Epi Wafer)
	磷化銦異質接面雙載子電晶體磊晶片（InP HBT Epi Wafer）
	砷化鎵高電子移動率電晶體磊晶片（HEMT or MESFET Epi Wafer）
	砷化鎵光偵測器磊晶片 (GaAs PIN Epi Wafer)
	砷化銦鎵光偵測器磊晶片（InGaAs PIN Epi Wafer）
	鋅擴散完成的砷化銦鎵光偵測器磊晶片(Zn Diffusion Ready InGaAs PIN Epi Wafer)
	超高亮度AlInGaP發光二極體晶粒(LED)
	AlGaInP YS （580~585 nm）wafer bonding LED chip
	AlGaInP YL （585~595 nm）wafer bonding LED chip
	AlGaInP YO（600~610 nm）wafer bonding LED chip
	AlGaInP RO（610~620 nm）wafer bonding LED chip
	AlGaInP HR（620~630 nm）wafer bonding LED chip